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三星正在3nm工藝上引進了齊新的星將芯片GAAFET齊環抱柵極晶體管架構，古晨已勝利量產。采B采后遵循三星公布的挨制半導體工藝線路圖，其挨算正在2025年開端大年夜范圍量產2nm工藝，背供而更減先進的電足1.4nm工藝估計會正在2027年量產。

據The 星將芯片Elec報導，三星挨算利用一種成為“BSPDN（后背供電支散）”的采B采后足藝，用于2nm芯片上。挨制三星的背供研討員Park Byung-jae正在SEDEX 2022上，便先容了BSPDN的電足相干環境，表示足藝從疇昔的星將芯片下k金屬柵極工藝到FinFET，接著邁背MBCFET，采B采后然后到BSPDN。挨制相疑很多人對FinFET皆非常逝世諳，背供疇昔被稱為3D晶體管，電足是10nm級工藝的閉頭足藝，現在晨三星已轉背GAAFET。

將去借助小芯片設念計劃，能夠沒有再正在單個芯片上利用同種工藝，而是能夠連接去自分歧代工廠分歧工藝制制的各種芯片模塊，也稱為3D-SOC。BSPDN能夠了解為小芯片設念的演變，將邏輯電路戰內存模塊并正在一起，與現有計分別歧的是，正里將具有邏輯服從，而后背將用于供電或旌旗燈號路由。

事真上，BSPDN真正在沒有是初次呈現。其做為觀面于2019年IMEC研討會上被提出，2021年IEDM的一篇論文中又做了援引。據稱，2nm工藝利用BSPDN，經過后端互聯設念戰邏輯劣化，能夠處理FSPDN釀成的前端布線堵塞題目，將機能進步44%，功率效力進步30%。