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存儲設(shè)備制造商美光日前發(fā)布官方消息，美光該公司稱計劃在 2024 年上半年推出首款 GDDR7 內(nèi)存，宣布該內(nèi)存預(yù)計將用于下一代顯卡，將年提供比 GDDR6 和 GDDR6X 更好的上半性能。 美光稱 GDDR7 內(nèi)存將基于美光 1? 節(jié)點上生產(chǎn)，年提能更內(nèi)存晶體管規(guī)模更大、供性密度也更高，主用可以繼續(xù)提升閃存芯片的于顯性能。 技術(shù)細(xì)節(jié)方面美光 GDDR7 內(nèi)存將使用 PAM3 信令，卡藍(lán)這是點網(wǎng)一種三級脈沖幅度調(diào)制系統(tǒng)，包括 – 1、美光0 和 + 1 信令級別，宣布能夠在兩個周期內(nèi)傳輸三位數(shù)據(jù)。將年與 GDDR6 使用的上半兩極 NRZ 相比，PAM3 提供更高效的年提能更內(nèi)存每周期數(shù)據(jù)傳輸速率，從而不是必須升級更高的頻率，同時還可以減少潛在的信號丟失問題。
美光沒有透露其 GDDR7 內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率，不過之前三星提供過類似數(shù)據(jù)，三星預(yù)計 GDDR7 數(shù)據(jù)傳輸速率在 36GT/S，當(dāng)前 GDDR6X 的數(shù)據(jù)傳輸速率為 22~23GT/S。 值得注意的是雖然美光在明年上半年推出 GDDR7 產(chǎn)品，但短時間內(nèi)可能也無法再商業(yè)產(chǎn)品中使用，因為 GDDR7 采用新的編碼機制，因此也需要搭配新的主控芯片。所以美光推出 GDDR7 閃存芯片后，還需要開發(fā)新的主控芯片。 而 AMD、Intel、NVIDIA 是否會在 2024 年推出下一代 GPU 還是未知數(shù)，畢竟按之前傳聞，NVIDIA 有可能會推遲發(fā)布 RTX 50 系顯卡。 |
