臺積電向來不對競爭對手置評。臺積圖彎臺積電先前于法說會上指出，電投道超采用 FinFET 架構(gòu)的星n先于蘇州同城外圍上門外圍女上門（電話微信199-7144-9724）提供1-2線熱門城市快速安排30分鐘到達(dá) 3nm 依原規(guī)畫在下半年量產(chǎn)，將是程有產(chǎn)力車“下個大成長節(jié)點(diǎn)”。
業(yè)界人士分析，臺積圖彎三星雖然宣稱 3nm 邁入量產(chǎn)倒數(shù)計時，電投道超但從晶體管密度、星n先于效能等層面分析，程有產(chǎn)力車三星的臺積圖彎 3nm 與應(yīng)與臺積電 5nm 家族的 4nm，以及英特爾的 Intel 4 制程相當(dāng)。
據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日報》分析，三星以“3nm”為最新制程進(jìn)度命名，表面上贏了面子，但在晶體管密度、效能等都還是落后臺積電，“實(shí)際上還是輸了里子”。
TechSpot 等外媒報導(dǎo)，三星向投資人簡報表示，正全力準(zhǔn)備讓 GAA 架構(gòu)的 3nm 制程在今年上半年進(jìn)入投產(chǎn)階段，也就是在未來八周內(nèi)啟動量產(chǎn)程序，意味 3nm 量產(chǎn)倒數(shù)計時。
三星表示，相較于目前旗下 7nm FinFET 架構(gòu)制程，新的 3nm 制程所生產(chǎn)的芯片，可以在 0.75 伏特以下的低電壓環(huán)境工作，使整體耗電量降低 50%，效能提升 30%，芯片體積減少 45%。
分析師指出，三星的 3nm 制程所能達(dá)到的晶體管密度，最終可能與英特爾的制程 4 或者臺積電的 nm 米家族當(dāng)中的 4nm 相當(dāng)，但是頻寬與漏電控制表現(xiàn)會更好，帶來更優(yōu)異的效能。
但目前無法得知的最大變量，是三星的 3nm 制程良率能有多好。三星先前全力發(fā)展的 4nm 制程就因良率太低，導(dǎo)致主要客戶大幅轉(zhuǎn)單臺積電。業(yè)界傳出，目前三星 3nm 良率僅約 10% 出頭，但未獲三星證實(shí)。
另一方面，三星也未透露采用其 3nm 制程的客戶。相較之下，臺積電總裁魏哲家先前已于法說會上透露，旗下 3nm 應(yīng)用有諸多客戶參與，預(yù)計首年相較 5nm 與 7nm，會有更多新的產(chǎn)品設(shè)計定案。
業(yè)界認(rèn)為，蘋果、AMD、英偉達(dá)、高通、英特爾、聯(lián)發(fā)科等大廠，都會是臺積電 3nm 量產(chǎn)初期的主要客戶，應(yīng)用范圍涵蓋高速運(yùn)算、智慧手機(jī)等領(lǐng)域。臺積電強(qiáng)調(diào)，3nm 今年下半年量產(chǎn)之后，在 PPA（效能、功耗及面積）及晶體管技術(shù)都將領(lǐng)先，且有良好的良率，有信心 3nm 會持續(xù)贏得客戶信賴。
另外，臺積電也已著手進(jìn)行更先進(jìn)的 2nm 布局，預(yù)期 2024 年風(fēng)險試產(chǎn)，目標(biāo) 2025 年量產(chǎn)，看好 2nm 將是業(yè)界最領(lǐng)先，且是支持客戶成長最適合的技術(shù)。
作者:探索
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