臺積電向來不對競爭對手置評。臺積圖彎臺積電先前于法說會上指出,電投道超采用 FinFET 架構(gòu)的星n先于蘇州同城外圍上門外圍女上門(電話微信199-7144-9724)提供1-2線熱門城市快速安排30分鐘到達(dá) 3nm 依原規(guī)畫在下半年量產(chǎn),將是程有產(chǎn)力車“下個大成長節(jié)點(diǎn)”。

業(yè)界人士分析,臺積圖彎三星雖然宣稱 3nm 邁入量產(chǎn)倒數(shù)計時,電投道超但從晶體管密度、星n先于效能等層面分析,程有產(chǎn)力車三星的臺積圖彎 3nm 與應(yīng)與臺積電 5nm 家族的 4nm,以及英特爾的 Intel 4 制程相當(dāng)。
據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日報》分析,三星以“3nm”為最新制程進(jìn)度命名,表面上贏了面子,但在晶體管密度、效能等都還是落后臺積電,“實(shí)際上還是輸了里子”。
TechSpot 等外媒報導(dǎo),三星向投資人簡報表示,正全力準(zhǔn)備讓 GAA 架構(gòu)的 3nm 制程在今年上半年進(jìn)入投產(chǎn)階段,也就是在未來八周內(nèi)啟動量產(chǎn)程序,意味 3nm 量產(chǎn)倒數(shù)計時。
三星表示,相較于目前旗下 7nm FinFET 架構(gòu)制程,新的 3nm 制程所生產(chǎn)的芯片,可以在 0.75 伏特以下的低電壓環(huán)境工作,使整體耗電量降低 50%,效能提升 30%,芯片體積減少 45%。
分析師指出,三星的 3nm 制程所能達(dá)到的晶體管密度,最終可能與英特爾的制程 4 或者臺積電的 nm 米家族當(dāng)中的 4nm 相當(dāng),但是頻寬與漏電控制表現(xiàn)會更好,帶來更優(yōu)異的效能。
但目前無法得知的最大變量,是三星的 3nm 制程良率能有多好。三星先前全力發(fā)展的 4nm 制程就因良率太低,導(dǎo)致主要客戶大幅轉(zhuǎn)單臺積電。業(yè)界傳出,目前三星 3nm 良率僅約 10% 出頭,但未獲三星證實(shí)。
另一方面,三星也未透露采用其 3nm 制程的客戶。相較之下,臺積電總裁魏哲家先前已于法說會上透露,旗下 3nm 應(yīng)用有諸多客戶參與,預(yù)計首年相較 5nm 與 7nm,會有更多新的產(chǎn)品設(shè)計定案。
業(yè)界認(rèn)為,蘋果、AMD、英偉達(dá)、高通、英特爾、聯(lián)發(fā)科等大廠,都會是臺積電 3nm 量產(chǎn)初期的主要客戶,應(yīng)用范圍涵蓋高速運(yùn)算、智慧手機(jī)等領(lǐng)域。臺積電強(qiáng)調(diào),3nm 今年下半年量產(chǎn)之后,在 PPA(效能、功耗及面積)及晶體管技術(shù)都將領(lǐng)先,且有良好的良率,有信心 3nm 會持續(xù)贏得客戶信賴。
另外,臺積電也已著手進(jìn)行更先進(jìn)的 2nm 布局,預(yù)期 2024 年風(fēng)險試產(chǎn),目標(biāo) 2025 年量產(chǎn),看好 2nm 將是業(yè)界最領(lǐng)先,且是支持客戶成長最適合的技術(shù)。
作者:探索




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