本周三星電子宣布已經(jīng)成功開發(fā) HBM3E 12H 內(nèi)存，星推行業(yè)這是內(nèi)存能需目前業(yè)界首款 12 堆棧的 HBM3E 內(nèi)存，也是寬的性點(diǎn)網(wǎng)目前容量最高的 HBM 類型的產(chǎn)品。

HBM3E 12H 提供無(wú)與倫比的高達(dá)速度，其帶寬高達(dá) 1280GB/S，每秒滿足單張容量為 36GB，求藍(lán)相較于 HBM3 8H 技術(shù)，星推行業(yè)無(wú)論是內(nèi)存能需帶寬還是容量都有 50% 的提高。

不過(guò)發(fā)布并不意味著就是寬的性點(diǎn)網(wǎng)上市了，三星稱目前已經(jīng)開始向一些特定客戶寄送樣品，高達(dá)量產(chǎn)工作預(yù)計(jì)會(huì)從今年上半年開始，每秒滿足之后就可以大規(guī)模出貨。求藍(lán)

HBM 即高帶寬存儲(chǔ)器 (High Bandwidth Memory)，這是內(nèi)存能需三星、SK 海力士、寬的性點(diǎn)網(wǎng)超威半導(dǎo)體等聯(lián)合發(fā)起的一種基于 3D 堆棧工藝的高性能內(nèi)存，主要適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的應(yīng)用場(chǎng)景，包括但不限于 GPU、網(wǎng)絡(luò)交換和轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備等。

這種技術(shù)可以將更多閃存芯片封裝到更小的尺寸中，這三星稱 HBM3E 12H 具有更高的堆疊、更薄的材料厚度，實(shí)現(xiàn)了目前業(yè)界最小的芯片間隙 — 7 微米，同時(shí)還消除了層間空隙，因此可以大幅度提高容量密度。

三星電子預(yù)計(jì)隨著人工智能應(yīng)用的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，HBM3E 12H 內(nèi)存有望成為未來(lái)更多需要大量?jī)?nèi)存、高速內(nèi)存的系統(tǒng)的最佳解決方案，其高性能和容量都可以讓客戶更靈活的管理資源并降低數(shù)據(jù)中心的總成本。

此外三星電子還提到，相較于 HBM3 8H，HBM3E 12H 在 AI 訓(xùn)練方面的平均速度提高 34%、推理服務(wù)同時(shí)用戶數(shù)可擴(kuò)展 11.5 倍以上。